• ISSN 0258-2724
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含硅钢下贝氏体长大方式 ——65Si2M nWA 下贝氏体界面位错

张喜燕 武小雷 康沫狂

张喜燕, 武小雷, 康沫狂. 含硅钢下贝氏体长大方式——65Si2M nWA 下贝氏体界面位错[J]. 西南交通大学学报, 1998, 11(3): 257-262.
引用本文: 张喜燕, 武小雷, 康沫狂. 含硅钢下贝氏体长大方式 ——65Si2M nWA 下贝氏体界面位错[J]. 西南交通大学学报, 1998, 11(3): 257-262.

含硅钢下贝氏体长大方式 ——65Si2M nWA 下贝氏体界面位错

  • 摘要: 利用透射电镜观察研究含硅钢65Si2M nWA 下贝氏体界面位错。结果表明, 该钢下贝 氏体界面错配位错为混合型位错, 真实位错线方向与其柏氏矢量夹角约为30°, 界面可 借助错配位错沿界面法线方向作保守滑移。发现界面位错有穿过界面的情况。提出了 下贝氏体界面位错环模型, 根据此模型, 可以预测随着位错环的扩展, 其螺型部分导致 下贝氏体铁素体的增厚, 刃型部分导致伸长, 由于刃型位错滑移速度远高于螺型位错 滑动速度, 伸长快于增厚, 贝氏体呈片状。

     

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出版历程
  • 刊出日期:  1998-06-25

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